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大功率模块测试仪

2024-08-01 17:50:27发布   信息编号:13266065  
公司: 深圳市华科智源科技有限公司
联系人: 陈少龙(管理人员)
所在地: 广东 - 深圳,深圳市宝安区航城街道恒丰工业城C4栋816
价格: 面议
联系: 微信:HUSTEC-Chen

电话:0755-23226816 手机:18692779548

华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;

产品信息:

1、产品型号及名称:IGBT静态参数测试仪

2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容

3、VGE可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法;

4、采用插槽式设计结构,便于升级和维护;

5、设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试,

6、自动进行分档测试,既覆盖大功率特征下的测试范围,又可保证小功率器件测试精度

7、支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能;

8、测试数据可存储为Excel文件,WORD报告

9、安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。

测试参数:

ICES  集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用

基础能力:

1) 测试电压范围:0-±5000V

2) 测试电流范围:0-±1600A

3) 测试栅极电压范围:0-±100V

4) 电压分辨率:0.1mV

5) 电流分辨率:0.1nA

测试种类及参数:

(1)Diode(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)

静态参数:BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降;

(2)MOSFET(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)

静态参数:BVDSS/漏源极击穿电压,VGS(th)/栅极开启电压,IDSS 漏源极漏电流、VF/二极管正向压降;Rdson 内阻

(3)IGBT单管及模块(支持 Si ,SiC , GaN 材料器件)

静态参数:BVCES/集射极击穿电压,VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降;VCESAT/饱和压降,IGESR,IGESF 栅极漏电流

大功率模块测试仪

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